28aB9 微傾斜SiC{0001}面上成長モデル(基礎V)

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概要

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• 日本結晶成長学会の論文
• 1993-07-10

著者

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 松波 弘之

  京都大学工学部電気電子工学教室

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

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