CVD法による薄膜結晶Siの堆積における核発生制御
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概要
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異種支持基板上に堆積した薄膜結晶Siを用いた高効率太陽電池を実現するためには、多結晶Siの大粒径化が必要であり、堆積初期における核発生制御が重要になる。本研究ではSiH_2Cl_2とH_2を原料ガスに用いた減圧CVD法において、原料ガスの流量制御あるいは間欠供給を用いて、Si堆積初期過程における核発生制御を行った。またプロセス温度低温化のためにSiH_2Cl_2のプラズマによる分解を行ったところ、SiO_2上に堆積した多結晶Siは強い〈110〉配向を示すことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-09
著者
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京大工
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
冬木 隆
京都大学工学部電気工学第二科
-
吉田 博康
京都大学工学部
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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