ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成
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概要
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ECRリモートプラズマ法を用いて、ナノメータオーダーの極薄SiO_2膜を500℃の低温で形成した。プラズマ発光分光を行い、O_2とArの流量制御により酸化速度が制御可能であることを示した。低温で形成されたSiO_2膜の電気的特性を電流-電圧測定ならびに高周波容量-電圧測定により評価した。酸化膜形成前に数原子層のほぼ酸化膜を基盤表面に形成することで、低電界リーク電流が検出限界まで抑制されることを示した。また保護酸化膜はSi/SiO_2界面特性の改善にも寄与することを高周波容量-電圧測定から明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京大工
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
森泉 和也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
植田 康之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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