結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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近年、シリコン太陽電池の低コスト化と高効率化の2つの要素を可能とするプロセスの開発が急務であり、その1つとしてレーザードーピングプロセスが挙げられる。本研究ではドーパントプレカーサー層に着目し、スパッタリング法でPSG (Phosphorus Silicate Glass)膜を形成し、膜の物性とドーピング特性の関連性を解明することを目的とする。今回、PSG膜厚を変化させた場合のレーザー照射後の基板表面の変化やドーパント濃度やその深さについて解析を行い、太陽電池特性への影響も調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
舟谷 友宏
奈良先端科学技術大学院大学
-
高山 環
奈良先端科学技術大学院大学
-
長谷川 光洋
奈良先端科学技術大学院大学
-
平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学
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