高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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パワーMOSFET用材料として注目されている4H-SiCであるが,MOSFETの反転層チャネル移動度が小さいという問題がある.我々は4H-SiCのMOS構造に対し高圧水蒸気処理を行い,MOS界面改質の効果とMOSFET特性の改善について調べたので報告する.Si面に対してAlゲート電極を形成前に390度,1.6MPaの高圧水蒸気処理を行った場合に,チャネル移動度は3.6cm^2/Vsから5.0cm^2/Vsへと向上した.しかし,Alゲート電極を形成後に高圧水蒸気処理した場合,チャネル移動度はほとんど変化しなかった(3.5cm^2/Vs).高圧水蒸気処理が4H-SiCのMOS界面特性に与える効果およびそのメカニズムを考察した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-31
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
武田 大輔
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
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