矢野 裕司 | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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概要
関連著者
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矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
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矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
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畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
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畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
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浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
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浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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岡本 大
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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笹田 浩介
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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中川 未浩
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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河北 哲郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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河北 哲郎
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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中川 未浩
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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パンチャイペッチ プラカイペッチ
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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高橋 英治
日新電機株式会社
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武田 大輔
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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緒方 潔
日新電機株式会社
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平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学物質創生科学研究科
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菅原 祐太
奈良先端科学技術大学院大学
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向 正人
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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市川 和典
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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パンチャイペッチ P.
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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林 司
日新電機株式会社
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市川 和典
神戸市立工業高等専門学校
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北島 浩司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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今奥 崇夫
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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播磨 弘
京都工芸繊維大学工芸学部
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東名 敦志
日新電機株式会社
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梅野 智和
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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芹川 正
東京大学先端科学技術研究センター
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入船 裕行
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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大城 ゆき
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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藤井 茉美
奈良先端科学技術大学院大学
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Jung Ji
サムスン綜合技術院
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Kwon Jang
サムスン綜合技術院
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石河 泰明
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学:パナソニック
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中村 敦
奈良先端科学技術大学院 大学物質創成科学研究科
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堀井 貞義
(株)日立国際電気
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橋本 伸一郎
松下電器産業株式会社ディスプレイデバイス開発センター
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森田 幸弘
松下電器産業株式会社ディスプレイデバイス開発センター
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宮下 誠
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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中村 秀碁
奈良先端科学技術大学院大学
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パンチャイペッチ プラカイペッチ
奈良先端科学技術大学院大学
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堀井 貞義
日立国際電気
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岡本 武士
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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播磨 弘
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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播磨 弘
京都工芸繊維大学
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播磨 弘
京都工芸繊維大学 工芸学部
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平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学
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石河 泰明
奈良先端科学技術大学院大学
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高上 稔充
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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高上 稔充
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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石河 泰明
奈良先端科技大:CREST-JST
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山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学
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梅澤 奈央
奈良先端科学技術大学院大学
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堀 良太
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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田村 哲也
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
著作論文
- 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 (シリコン材料・デバイス)
- バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- Ga_2O3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 高圧水蒸気熱処理したSiO_2/4H-SiC界面特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- Aluminum Induced Crystallization法を利用した多結晶Si薄膜の形成と評価
- 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)
- 低温Poly-Si TFTにおける発熱劣化の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 極薄ゲートSiO_2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化(シリコン関連材料の作製と評価)
- Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(シリコン関連材料の作製と評価)
- 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 励起活性種を用いた極薄シリコン窒化膜の低温形成と構造解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SiCのMOS界面制御技術(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 励起活性種を用いた極薄ゲート酸窒化膜の低温形成
- Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- SC-8-12 Reliability of Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors under Dynamic Stress
- 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
- 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
- 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
- p-チャネル低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性
- SiO_2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl_3アニールの効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング(シリコン関連材料の作製と評価)
- 4H-SiC(11-20)面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- POCl_3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)