SiCのMOS界面制御技術(<特集>ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
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概要
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従来用いられてきた(0001)Si面ではなく,新しい結晶面である(112^^-0)面,(033^^-8)面を用いたSiCのMOS界面特性を制御する技術について述べる.それらの面上に反転型MOSFETを作製し,チャネル移動度やしきい値電圧について様々な温度で測定した.n型MOSキャパシタを作製し,特に伝導帯付近の界面準位について評価してMOSFET特性との関連を調べた.SiCのMOS界面制御の現状についても紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-01
著者
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