SiO_2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl_3アニールの効果(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl_3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO_2/n型4H-SiCの界面準位密度の低減に成功している。良好なp型SiCのMOS界面特性の実現は、IGBTなどの次世代デバイスに必須の技術として期待される。しかし、これまでのところp型SiC-MOS界面に関する報告は少ない。そこで今回は、p型4H-SiCのMOSキャパシタを作製し、POCl_3アニールの効果を調査した。その結果、n型と異なりp型4H-SiCのMOS界面では、リンによる界面特性の改善効果は見られなかった。
- 2011-12-09
著者
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
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畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
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畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
高上 稔充
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
高上 稔充
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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