p-チャネル低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性
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概要
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低温ポリシリコンp-ch TFTにおけるホットキャリア劣化のメカニズムを解析した。DCストレスによって移動度、オン電流の上昇、オフ電流の減少といった特有の劣化を示した。キンク電流測定、発光解析、デバイスシミュレーションの結果から微細化に伴う劣化の加速性はあるしきいち値以上のエネルギーをもつホットキャリアの数の相違によるものであることがわかった。さらに、本劣化はドレイン近傍における電子トラップモデルで説明できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-13
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
梅野 智和
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
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