窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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PLDCVD法を用いて堆積したHfSiO膜ヘリモートプラズマ法により、窒素の導入を行った。膜内の窒素プロファイルをX線光電子分光法(XPS)や2次イオン質量分析法(SIMS)によって解析した。膜内の窒素濃度は最高25%程度まで導入可能であることがわかった。導入された窒素は、主にSiと結合するためSiの濃度に大きく依存することがわかった。HfとSiの組成を制御することにより、膜内の窒素の深さ方向へのプロファイルの制御が可能であることを見出した。また、窒素導入により、リーク電流の低減や比誘電率の向上を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-14
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
堀井 貞義
(株)日立国際電気
-
中村 秀碁
奈良先端科学技術大学院大学
-
パンチャイペッチ プラカイペッチ
奈良先端科学技術大学院大学
-
堀井 貞義
日立国際電気
-
パンチャイペッチ プラカイペッチ
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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