High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの開発を目指した研究を行っている。本研究はメモリとしての性能や信頼性のさらなる向上を目指して,トンネル酸化膜に高誘電体材料(High-K)を用いたドット型フローティングゲート型MOSキャパシタの電気特性に関する評価を行った。その結果,トンネル酸化膜にHigh-k膜を利用したことによりメモリウィンドウが増大し,電荷保持特性が向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-02
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
-
小原 孝介
奈良先端科学技術大学院大学
-
八重樫 利武
半導体理工学研究センター
-
茂庭 昌弘
半導体理工学研究センター
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学:パナソニック
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター
-
山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学
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