茂庭 昌弘 | (株)ルネサステクノロジ

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概要

• 同名の論文著者
• (株)ルネサステクノロジの論文著者

関連著者

• 茂庭 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 茂庭 昌弘

  半導体理工学研究センター

• 長田 健一

  (株)日立製作所中央研究所

• 北井 直樹

  (株)日立超LSIシステムズ

• 長田 健一

  株式会社日立製作所

• 長田 健一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 半澤 悟

  日立製作所中央研究所

• 高浦 則克

  日立製作所中央研究所

• 半澤 悟

  (株)日立製作所中央研究所

• 松崎 望

  (株)日立製作所中央研究所

• 高浦 則克

  (株)日立製作所中央研究所

• 松崎 望

  (株)日立製作所 中央研究所

• 蒲原 史朗

  ルネサステクノロジ

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 黒土 健三

  日立製作所中央研究所

• 守谷 浩志

  日立製作所機械研究所

• 黒土 健三

  (株)日立製作所 中央研究所

• 守谷 浩志

  (株)日立製作所 機械研究所

• 小田部 晃

  (株)日立製作所 中央研究所

• 松井 裕一

  (株)日立製作所中央研究所

• 竹村 理一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 大湯 静憲

  (株)日立製作所半導体事業本部半導体技術開発本部

• 小田部 晃

  (株)日立製作所中央研究所

• 久保田 勝彦

  (株)日立製作所半導体事業部

• 蒲原 史朗

  (株)日立製作所半導体グループ

• 蒲原 史朗

  (株)日立製作所半導体事業本部半導体技術開発本部

• 茂庭 昌弘

  (株)日立製作所半導体事業本部半導体技術開発本部

• 荻島 淳史

  (株)日立製作所半導体事業本部半導体技術開発本部

• 久保田 勝彦

  (株)日立製作所半導体事業本部半導体技術開発本部

• 松井 裕一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 久保田 勝彦

  (株)日立製作所 半導体事業本部 半導体技術開発本部

• 吉丸 正樹

  半導体理工学研究センター

• 酒井 敦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 蒲原 史朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩崎 富生

  (株)日立製作所機械研究所

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 外村 修

  (株)日立製作所 中央研究所

• 藤崎 芳久

  (株)日立製作所中央研究所

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  株式会社ルネサステクノロジ

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 山下 一郎

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 斉藤 良和

  (株)ルネサステクノロジ

• 寺尾 元康

  (株)日立製作所 中央研究所

• 小原 孝介

  奈良先端科学技術大学院大学

• 八重樫 利武

  半導体理工学研究センター

• 岩崎 富生

  (株)日立製作所 機械研究所

• 土屋 修

  株式会社ルネサステクノロジ

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大

• 山下 一郎

  奈良先端科学技術大学院大学:パナソニック

• 岩崎 富生

  (株)日立製作所

• 茂庭 昌弘

  株式会社ルネサステクノロジ

• 藤岡 美緒

  (株)ルネサステクノロジ

• 森田 貞幸

  (株)ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 久保田 勝彦

  日立

• 藤崎 芳久

  (株)日立製作所

• 寺尾 元康

  (株)日立製作所 ストレージテクノロジー研究センター

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター (starc)

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター

• 山下 一郎

  奈良先端科学技術大学院大学

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学

• 糸賀 敏彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 横山 夏樹

  日立製作所中央研究所

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 木下 勝治

  日立製作所中央研究所

• 森川 貴博

  日立製作所中央研究所

• 藤崎 芳久

  日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立・中研

• 横山 夏樹

  日立製作所 中央研究所

• 古賀 剛

  (株)ルネサステクノロジ

• 加賀 徹

  日立製作所中央研究所

• 山本 直樹

  高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター

• 松岡 正道

  (株)ルネサステクノロジ

• 庄司 健一

  日立製作所 中央研究所

• 川上 博士

  日立製作所 中央研究所

• 組橋 孝生

  日立製作所 中央研究所

• 糸賀 敏彦

  日立製作所 中央研究所

• 茂庭 昌弘

  日立製作所 中央研究所

• 森川 貴博

  (株)日立製作所 中央研究所

• 木下 勝治

  (株)日立製作所 中央研究所

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大

• 山本 直樹

  高知工科大学 総合研究所

• 加賀 徹

  日立製作所 中央研究所

• 鳥居 和功

  日立製作所 中央研究所

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著作論文

• 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
• 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
• 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
• 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
• 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
• High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
• High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• ED2000-130 / SDM2000-112 / ICD-2000-66 DRAMリフレッシュエンジニアリングモデル
• ED2000-130 / SDM2000-112 / ICD2000-66 DRAMリフレッシュエンジニアリングモデル
• ED2000-130 / SDM2000-112 / ICD2000-66 DRAMリフレッシュエンジニアリングモデル

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