茂庭 昌弘 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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茂庭 昌弘
半導体理工学研究センター
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
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長田 健一
株式会社日立製作所
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長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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高浦 則克
日立製作所中央研究所
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半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
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松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
- 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)