石川 清志 | 株式会社ルネサステクノロジ

スポンサーリンク

概要

• 石川 清志の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 株式会社ルネサステクノロジの論文著者

関連著者

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  (株)ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  株式会社ルネサステクノロジ

• 岡垣 健

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 内田 哲也

  (株)ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  (株)ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 国清 辰也

  株式会社ルネサステクノロジ生産本部

• 石川 清志

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 小谷 教彦

  広島国際大学 社会環境科学部

• 小谷 教彦

  広島国際大学社会環境科学部

• 小谷 教彦

  広島国際大 社会環境科学

• 石川 清志

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  三菱電機(株)

• 栄森 貴尚

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  株式会社ルネサステクノロジ

• 栄森 貴尚

  (株)ルネサステクノロジ

• 高篠 裕行

  (株)ルネサステクノロジ

• 佃 栄次

  (株)ルネサステクノロジ

• 若原 祥史

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 国清 辰也

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 酒井 敦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 荒木 康弘

  株式会社ルネサステクノロジ

• 鎌倉 良成

  大阪大学工学部

• 谷口 研二

  大阪大学工学部

• 倉田 英明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 鳴海 俊一

  ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  三菱電機(株)

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 牧野 博之

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 佃 栄次

  ルネサステクノロジ株式会社

• 高篠 裕行

  ルネサステクノロジ株式会社

• 岡垣 健

  ルネサステクノロジ株式会社

• 内田 哲也

  ルネサステクノロジ株式会社

• 林 岳

  ルネサステクノロジ株式会社

• 永久 克己

  ルネサステクノロジ株式会社

• 若原 祥史

  ルネサステクノロジ株式会社

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ株式会社

• 井上 靖朗

  ルネサステクノロジ株式会社

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷沢 元昭

  株式会社ルネサステクノロジ

• 清水 悟

  株式会社ルネサステクノロジ

• 河井 伸治

  株式会社ルネサステクノロジ

• 小倉 卓

  株式会社ルネサステクノロジ

• 小林 真一

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 五十嵐 元繁

  株式会社ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  ルネサステクノロジ

• 茂庭 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科

• 岩出 秀平

  三菱電機(株)システムlsi開発研究所

• 永久 克己

  (株)ルネサステクノロジ

• 国清 辰也

  (株)ルネサステクノロジ

• 五十嵐 元繁

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 茂庭 昌弘

  半導体理工学研究センター

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 鳴海 俊一

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷口 研二

  大阪大

• 倉田 英明

  (株)日立製作所

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• 茂庭 昌弘

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  三菱電機(株)システムLSI事業化推進センター

• 牧野 博之

  三菱電機(株)システムLSI事業化推進センター

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• Taniguchi K

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• 西村 正

  三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機株式会社ulsi技術開発センター

• 犬石 昌秀

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機ULSI開発研究所

• 和智 勇治

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 園田 賢一郎

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 熊本 敏夫

  株式会社ルネサステクノロジ

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 熊本 敏夫

  ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  三菱電機(株)

• 太田 和伸

  ソニー株式会社

• 河野 浩之

  三菱電機(株)システムlsi事業統括部

• 岡垣 健

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 太田 和伸

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 網城 啓之

  三菱電機(株)メモリー事業統括部

• 永久 克巳

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 熊本 敏夫

  三菱電機(株)システムLSI開発研究所

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 寺井 正幸

  大阪学院大学情報学部

• 寺井 正幸

  株式会社ルネサステクノロジ製品技術本部

• 寺井 正幸

  三菱電機株式会杜 半導体基盤技術統括部 Eda技術部

• 熊本 敏夫

  三菱電機(株)システムlsi事業統括部

• 寺井 正幸

  三菱電機

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 西村 正

  三菱電機 Ulsi開セ

• 渡邉 哲也

  株式会社ルネサステクノロジ製品技術本部

• 金本 後幾

  株式会社ルネサステクノロジ製品技術本部

• 白田 光利

  株式会社ルネサステクノロジ製品技術本部

• 味岡 佳英

  株式会社ルネサステクノロジ製品技術本部

• Taniguchi K

  Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• 片山 弘造

  株式会社ルネサステクノロジ

• 西村 正

  三菱電機株式会社 Lsi 研究所

• Taniguchi Kenji

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

もっと見る 閉じる

著作論文

• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
• ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
• 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 90nm級SoCプロセス対応配線キャラクタライズ手法(タイミング解析)(システムLSIの設計技術と設計自動化)
• 窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク