窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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シリコン窒化膜のような絶縁体中のキャリア移動度を測定する新たな手法を開発し、シリコン窒化膜中の電子移動度を決定した。移動度の温度と電界依存性は良く知られたPoole-Frenkel則では表されず、障壁高さが電界に比例して低下する特性を示すことが判明した。このモデルにより、MNOS型メモリにおける強電界下での消去特性から弱電界下の保持特性まで広い電界強度領域の電荷拡散現象を説明できる。
- 2007-05-31
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