TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
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概要
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MOSデバイスの実効チャネル長を決定するパラメータΔLはデバイスのパフォーマンスを左右する大きな要因である.ΔLはプロセスモニタのE-Tデータ[5]としても用いられる.抵抗ベースの抽出法では外部抵抗がゲート電圧により変調されるため, ΔLはゲート電圧依存性をもつ.MOSデバイスの微細化に伴い, LDD構造などが採用されると, ますますΔLのゲート電圧依存性は大きくなる.容量ベースのΔL抽出法でもLDD構造では同じようにΔLはゲート電圧依存性をもつ.このため, 冶金学的なΔLのようにデバイスに対して一対一に対応するものを抽出することは難しい.今回, ゲート電圧に依存したΔLの極大値を採用する手法を示した.この手法は抽出するゲート電圧を事前に決定する必要がなく抽出条件を一意に決定できるので, プロセスモニタに用いるΔLを抽出するのに有効である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-23
著者
-
西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
谷沢 元昭
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
-
西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
-
木寺 真琴
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
石川 清志
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
-
谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
-
西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
-
石川 清志
ルネサステクノロジ
-
西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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