デバイス/回路シミュレータの結合
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概要
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注目すべきデバイスの動作解析を、回路中における実動作状況に近い条件で行うために、デバイスシミュレータと回路シミュレータを結合させた。nxn小行列の混在を許す一般疎行列ソルバーを開発することにより、デバイスの基本方程式(ポアッソン方程式、電流連続式、他)と回路の基本方程式(キルヒホッフの法則、デバイス解析モデル式)をFull Newton法で安定に計算可能とした。デバイス/回路混合系の解析は静電破壊(ESD)やリングオシレータの遅延に対するプロセス/デバイス構造の影響を見るのに重要である。ここではデバイス/回路シミュレータの結合方法とCMOSインバータのシミュレーション結果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-14
著者
-
三好 寛和
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
-
谷沢 元昭
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
石川 清志
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
園田 賢一郎
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
永久 克己
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
園田 賢一郎
三菱電機(株)
-
谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
-
谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
-
永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
-
小谷 教彦
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
小谷 教彦
広島国際大学社会環境科学部
-
小谷 教彦
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
-
石川 清志
ルネサステクノロジ
-
石川 清志
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
-
三好 寛和
三菱電機(株)
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