TCADによるLSIのプロセスおよび構造の最適設計
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概要
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LSIの高集積化,高密度化が続いており,0.25μmレベルの製品開発が進められている.このような微細で複雑な構造をシリコン基板上に作りつけるための製造プロセスは数百工程にもなり,製品開発にあたってのプロセスやデバイス構造の最適化の時間と試作コストの増大を招いている.一方,半導体シミュレーションの高精度化,高速化が進み,相当の精度で不純物分布やトランジスタ特性が実測値と一致するようになってきた.プロセスシミュレーションからデバイス,回路シミュレーションまでを一貫して実行することにより,LSIのプロセス,回路,レイアウト設計の最適化がシミュレーションで可能になりつつある.このようなトータルなLSI開発環境を提供するのがTCAD (Technology CAD)技術である.本稿では, LSIのプロセスや構造開発のための切り札の一つであるTCAD技術の現状と半導体開発へのインパクトについて述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-25
著者
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