コンタクト特性を考慮したa-Si:H TFTの電気的特性の解析
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概要
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a-Si:H (水素化アモルファスシリコン) TFT (thin film transistor)の電気的特性を, ソースとドレインのコンタクトの電流-電圧特性を考慮して解析した. コンタクトの電流-電圧特性は, 逆バイアス時のトンネル電流を考慮したSchottky接合としてモデル化した. そこで用いるパラメータの値は, コンタクト特性を抽出するために作製した素子から得られた特性を再現するように決定した. このモデルを用いたデバイスシミュレーションでTFTのドレイン電流を計算し, TFTの測定結果と一致することを確認した. チャンネル長L=5.9μmのTFTのドレイン電流は, コンタクト特性を考慮しない計算の結果と比較すると最大19%少なくなる. そして, チャンネル長が短くなるほどコンタクト特性の寄与は大きくなる. そのため, TFTのテバイスシミユレーションを正確におこなうためには, コンタクト特性を考慮することが必要である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-27
著者
-
中川 直紀
(株)アドバンスト・ディスプレイ
-
西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機(株)
-
石川 清志
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
園田 賢一郎
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
永久 克己
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
山口 偉人
(株)アドバンスト・ディスプレイ
-
園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
園田 賢一郎
三菱電機(株)
-
永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
-
西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
-
石川 清志
ルネサステクノロジ
-
石川 清志
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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