フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
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概要
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- 1997-06-05
著者
-
西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
上田 公大
三菱電機(株) システムLSI研究所
-
前川 繁登
三菱電機(株)LSI研究所
-
平野 有一
三菱電機(株)
-
前田 茂伸
三菱電機(株)
-
岩松 俊明
三菱電機(株)
-
山口 泰男
三菱電機(株)
-
一法師 隆志
三菱電機(株)
-
西村 正
三菱電機(株)
-
井上 靖朗
三菱電機(株)
-
金 逸中
三菱電機(株)
-
宮本 昭一
三菱電機(株)
-
新井 浩二
三菱電機(株)
-
益子 耕一郎
三菱電機(株)
-
西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
-
益子 耕一郎
三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター
-
前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
-
山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
宮本 昭一
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
-
上田 公大
三菱電機株式会社
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
-
岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
-
西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
-
新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
前田 茂伸
Ulsi開発センター
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