インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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インバータ速度制御、低V^<th>バラツキを可能にする45nm薄膜BOX-SOIデバイス技術について検討した。フォワードバイアスを印加する事で、インバータ遅延は、19.3psから10.5psまで高速化できる。また、薄膜BOX-SOIデバイスが低V^<th>ばらつき特性を示すことを明らかにし、SRAM部にリバース・バックバイアスを印加してトランジスタを動作させることで、SRAMのV^<th>ウィンドウを、劇的に改善できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-17
著者
-
木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
-
尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
-
伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
-
伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
-
土屋 龍太
日立製作所中央研究所
-
森田 祐介
日立製作所中央研究所
-
木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
-
石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
-
土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
-
森田 祐介
(株)日立製作所中央研究所
-
土屋 龍太
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
-
杉井 信之
(株)日立製作所 中央研究所
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