木村 紳一郎 | 日立製作所中央研究所

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• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所

• 木村 紳一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  (株)日立製作所中央研究所

• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所ulsi研究部

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 平谷 正彦

  Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 西田 彰男

  (株)日立製作所中央研究所

• 村上 英一

  (株)日立製作所中央研究所

• 平谷 正彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  日立製作所中央研究所

• 石垣 隆士

  (株)日立製作所中央研究所

• 森田 祐介

  (株)日立製作所中央研究所

• 久本 大

  (株)日立製作所中央研究所

• 堀内 勝忠

  (株)日立製作所中央研究所

• 杉井 信之

  日立製作所・中央研究所

• 嶋本 泰洋

  (株)日立製作所中央研究所

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 斉藤 慎一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 斎藤 慎一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 石垣 隆士

  日立製作所中央研究所

• 吉元 広行

  日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立・中研

• 山岡 雅直

  株式会社日立製作所中央研究所

• 河原 尊之

  株式会社日立製作所中央研究所

• 長田 健一

  (株)日立製作所中央研究所

• 長田 健一

  株式会社日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所 中央研究所

• 土屋 龍太

  株式会社日立製作所中央研究所

• 堀内 勝忠

  株式会社日立製作所中央研究所

• 木村 紳一郎

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• 斎藤 慎一

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  株式会社日立製作所

• 斎藤 慎一

  日立製作所中央研究所

• 土屋 龍太

  日立製作所

• 石垣 隆士

  日立製作所

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ

• 井原 茂男

  (株)日立製作所ライフサイエンス推進事業部

• 門島 勝

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 鳥居 和功

  (株)日立製作所 中央研究所

• 尾内 享裕

  (株)日立製作所 中央研究所

• 門島 勝

  日立研究所

• 生田目 俊秀

  日立研究所

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 伊藤 清男

  (株)日立製作所中央研究所

• 伊藤 清男

  株式会社日立製作所中央研究所

• 松岡 秀行

  (株)日立製作所基礎研究所

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 大路 譲

  (株)ルネサステクノロジ

• 伊澤 勝

  日立中研

• 木村 紳一郎

  日立中研

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 土屋 龍太

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 永井 亮

  (株)日立製作所中央研究所

• 梅田 一徳

  (株)日立製作所中央研究所

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 大倉 康幸

  (株)日立製作所中央研究所

• 浅野 勇

  エルピーダメモリ(株)

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

• 武田 英次

  日立製作所中央研究所ulsi研究センタ

• 尾内 享裕

  日立 中研

• 井原 茂男

  (株)日立製作所中央研究所

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 久本 大

  日立総合計画研究所

• 松岡 秀行

  日立製作所基礎研究所

• 木村 紳一郎

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 杉井 信之

  (株)日立製作所 中央研究所

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  (株)ルネサステクノロジ

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  日立製作所 中央研究所

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  (株)日立製作所中央研究所

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著作論文

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• 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
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• SPS(Self-aligned Punch-through Stopper)構造のMOSFET動作特性
• 最先端半導体プロセス・製造技術の展望 (特集 最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
• Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• ナノメートル時代の半導体デバイスと製造技術の展望 (特集2 最先端半導体デバイスの製造を支えるベストソリューション)
• SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• ナノメートル世代のシリコン半導体デバイスの展望 (特集1 ナノメートル時代の最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
• ギガビットDRAMに向けたキャパシタ技術 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2002年版) -- (総論)
• 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
• 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
• Si MOSFETのしきい値電圧付近における電子移動度への遮蔽及び鏡像効果の解析
• 高速・低電力シリコンデバイスの現状と将来(ディジタル・一般)
• 高集積DRAMの現状と課題
• 半導体メモリー;DRAM
• 積み上げ拡散層型0.1μm-MOSFET
• 微細CMOSの特性ばらつき問題を解決するドーパントレスFDSOI : SOTB
• BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発(配線・実装技術と関連材料技術)

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