浅野 勇 | エルピーダメモリ(株)
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概要
関連著者
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浅野 勇
エルピーダメモリ(株)
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平谷 正彦
Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
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浅野 勇
エルピーダメモリ株式会社
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平谷 正彦
(株)日立製作所 中央研究所
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中村 吉孝
エルピーダメモリ株式会社
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飯島 晋平
エルピーダメモリ株式会社
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
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中村 吉孝
エルピーダメモリ(株)
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斎藤 達之
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
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齋藤 達之
(株)日立製作所
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生田目 俊秀
(株)日立製作所日立研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
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齋藤 達之
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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佐伯 智則
(株)日立製作所生産技術研究所
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二瀬 卓也
(株)日立超LSIシステムズ
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山本 智志
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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関口 敏宏
エルピーダメモリ株式会社
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飯島 晋平
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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大路 譲
(株)日立製作所
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大路 譲
(株)日立製作所半導体事業部半導体技術開発センタ
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関口 敏芳
エルピーダメモリ株式会社
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生田目 俊英
(株)日立製作所
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二瀬 卓也
株式会社日立超LSIシステムズ
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浅野 勇
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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中西 成彦
(株)日立製作所半導体事業部半導体技術開発センタ
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斎藤 達之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
著作論文
- 0.10μm DRAM用MIM/Ta_2O_5キャパシタプロセスの開発
- MIMキャパシタ用電極の形成技術
- 0.10ミクロンDRAM用MIM/Ta_2O_5キャパシタプロセスの開発
- ギガビットDRAMに向けたキャパシタ技術 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2002年版) -- (総論)
- Nb_2O_5添加及び積層による高誘電率Ta_2O_5膜の低温結晶化(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- DRAMキャパシターへの高誘電体薄膜の応用-課題と方向
- ギガビットDRAMに向けた新材料MIMキャパシタ (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)