平谷 正彦 | Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
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概要
関連著者
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平谷 正彦
Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
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平谷 正彦
(株)日立製作所 中央研究所
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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浅野 勇
エルピーダメモリ(株)
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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鳥居 和功
(株)日立製作所 中央研究所
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斉藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
日立・中研
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浅野 勇
エルピーダメモリ株式会社
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斉藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
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斎藤 慎一
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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生田目 俊秀
(株)日立製作所日立研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
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中村 吉孝
エルピーダメモリ株式会社
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中村 吉孝
エルピーダメモリ(株)
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斎藤 達之
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
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齋藤 達之
(株)日立製作所
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齋藤 達之
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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飯島 晋平
エルピーダメモリ株式会社
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佐伯 智則
(株)日立製作所生産技術研究所
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二瀬 卓也
(株)日立超LSIシステムズ
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山本 智志
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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関口 敏宏
エルピーダメモリ株式会社
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門島 勝
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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外村 修
(株)日立製作所 中央研究所
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尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
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門島 勝
日立研究所
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生田目 俊秀
日立研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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久本 大
(株)日立製作所中央研究所
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関口 敏芳
エルピーダメモリ株式会社
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生田目 俊英
(株)日立製作所
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二瀬 卓也
株式会社日立超LSIシステムズ
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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尾内 享裕
日立 中研
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斎藤 達之
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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久本 大
日立総合計画研究所
著作論文
- 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
- リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- High-k ゲート絶縁膜のスケーリング限界
- TiO_2ゲート絶縁膜形成から学ぶ界面の動力学
- Ru(C_5H_4C_2H_5)_2/THF原料を用いたCVD法によるRu電極の形成
- 0.10μm DRAM用MIM/Ta_2O_5キャパシタプロセスの開発
- MIMキャパシタ用電極の形成技術
- 0.10ミクロンDRAM用MIM/Ta_2O_5キャパシタプロセスの開発
- 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ギガビットDRAMに向けたキャパシタ技術 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2002年版) -- (総論)
- Nb_2O_5添加及び積層による高誘電率Ta_2O_5膜の低温結晶化(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- ギガビットDRAMに向けた新材料MIMキャパシタ (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)