斎藤 慎一 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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斉藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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斎藤 慎一
日立製作所中央研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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斎藤 慎一
早大理工
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栗原 進
日本物理学会
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鈴木 康夫
Ntt物性科学基礎研究所
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斉藤 慎一
(株)日立製作所中央研究所
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鈴木 康夫
NTT基礎研究所
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栗原 進
早大理工
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平谷 正彦
(株)日立製作所 中央研究所
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斎藤 慎一
(株)日立製作所 中央研究所
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鳥居 和功
日立・中研
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平谷 正彦
Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
(株)日立製作所 中央研究所
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栗原 進
早稲田大学物理学科
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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久本 大
(株)日立製作所中央研究所
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斎藤 慎一
早稲田大学理工学部物理学科
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吉元 広行
日本物理学会
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久本 大
日立総合計画研究所
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栗原 進
早稲田大学大学院理工学研究科
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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外村 修
(株)日立製作所 中央研究所
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尾内 享裕
(株)日立製作所 中央研究所
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島 明生
日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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吉元 広行
日立製作所中央研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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吉元 広行
早稲田大学理工学部物理学科
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吉元 広行
早大理工
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尾内 享裕
日立 中研
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武田 英次
日立総合計画研究所
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島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
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武田 英次
日立総合計画研
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鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
著作論文
- 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
- リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Quantum Phase Transition in d = ∞ Hubbard Model
- 28a-L-13 無限大次元引力Hubbard模型の基底状態の研究
- 無限次元ハバードモデルの量子相転移(基研研究会「統計物理の展望」,研究会報告)
- 30a-S-7 無限大次元Hubbard模型における超伝導転移
- 8a-PS-72 Fermi液体から反強磁性体への量子相転移
- 29a-J-3 引力Hubbard模型における超伝導と電荷密度波の共存
- シリコン超薄膜の電流注入発光
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))