斉藤 慎一 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
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斉藤 慎一
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日立総合計画研究所
著作論文
- 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
- リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- シリコン超薄膜の電流注入発光