木村 紳一郎 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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井上 靖朗
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(株)日立製作所 中央研究所
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(株)日立製作所中央研究所
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伊藤 清男
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鳥居 和功
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(株)日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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永井 亮
(株)日立製作所中央研究所
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梅田 一徳
(株)日立製作所中央研究所
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
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大倉 康幸
(株)日立製作所中央研究所
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(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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尾内 享裕
日立 中研
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井原 茂男
(株)日立製作所中央研究所
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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久本 大
日立総合計画研究所
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杉井 信之
(株)日立製作所 中央研究所
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(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- TiO_2ゲート絶縁膜形成から学ぶ界面の動力学
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SPS(Self-aligned Punch-through Stopper)構造のMOSFET動作特性
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
- 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
- Si MOSFETのしきい値電圧付近における電子移動度への遮蔽及び鏡像効果の解析