大倉 康幸 | (株)日立製作所中央研究所

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概要

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関連著者

• 大倉 康幸

  (株)日立製作所中央研究所

• 難波 光男

  (株)日立製作所半導体技術開発センタ

• 大倉 康幸

  (株)日立製作所半導体技術開発センタ

• 井原 茂男

  (株)日立製作所中央研究所

• 井原 茂男

  日立製作所中央研究所

• 大倉 康幸

  日立製作所中央研究所

• 井原 茂男

  (株)日立製作所ライフサイエンス推進事業部

• 木村 紳一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 水田 博

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 大部 功

  日立製作所中央研究所

• 大部 功

  (株)日立製作所中央研究所

• 池田 隆英

  日立デバイス開発センタ

• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所

• 若原 祥史

  (株)ルネサステクノロジ

• 加賀谷 修

  (株)日立製作所中央研究所

• 奥山 裕

  日立製作所・中央研究所

• 鳥谷部 達

  日立製作所中央研究所

• 水田 博

  日立製作所中央研究所

• 加賀谷 修

  日立製作所中央研究所

• 片山 弘造

  日立製作所中央研究所

• 大倉 康幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 樋口 久幸

  前橋工科大学

• 池田 隆英

  前橋工科大学情報工学科

• 若原 祥史

  前橋工科大学情報工学科

• M.B Patil

  日立製作所中央研究所

• 鳥谷部 達

  東洋大学工学部情報工学科

• 大部 功

  日立 中研

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著作論文

• Si MOSFETのしきい値電圧付近における電子移動度への遮蔽及び鏡像効果の解析
• 高濃度ドープチャネル移動度の電子濃度依存性解析
• 部分空乏型SOI MOSFETのターンオフ電流の3次元シミュレーション
• 透過行列法を用いた反転層における電子輸送現象の解析
• 擬2次元によるMOSFET高速デバイスシミュレーション手法の提案
• 擬2次元によるMOSFET高速デバイスシミュレーション手法の提案
• 擬2次元によるMOSFET高速デバイスシミュレーション手法の提案
• 擬2次元によるMOSFET高速デバイスシミュレーション手法の提案

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