透過行列法を用いた反転層における電子輸送現象の解析
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概要
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MOS反転層における電子輸送を量子効果を考慮して解析するための精密かつ高速な解析法として透過行列(TM)法を開発した。入射モードと出射モード間の遷移確率と出射までの所要時間を計算し,電子の運動を追跡する。このTM法はモンテカルロ(MC)法と同等に精度を保ちつつ,計算時間を短縮することが可能である。一様電界の場合ではTM法とMC法の結果は良く一致した。TM法では計算時間はMC法に比べ1, 6以下に短縮できた。TM法をモンテカルロシミュレータに接続させることにより,量子効果を扱えかつ高速なデバイスシミュレータを構成することが可能であることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-17
著者
-
奥山 裕
日立製作所・中央研究所
-
大倉 康幸
(株)日立製作所中央研究所
-
井原 茂男
日立製作所中央研究所
-
鳥谷部 達
日立製作所中央研究所
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大倉 康幸
日立製作所中央研究所
-
井原 茂男
(株)日立製作所中央研究所
-
M.B Patil
日立製作所中央研究所
-
鳥谷部 達
東洋大学工学部情報工学科
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