コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
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概要
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20MB/sの高速書込みを可能とする補助ゲート(AG)-AND型フラッシュメモリセルを開発した.AGを書込みゲートに用い,ソースサイドホットエレクトロン注入により書込みを行うことで,チャネル電流を100nA/セルに抑制しながら10μsの書込み時間を実現した.また,AGをフィールドアイソレーションゲートとしても用い,浮遊ゲートを自己整合プロセスで形成することにより,メモリセルサイズを0.104μm^2に縮小した.本メモリセルは,コンテンツ配信のダウンロードが主なアプリケーションとなるギガビットララッシュのコア技術となる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-04
著者
-
笹子 佳孝
(株)日立製作所 中央研究所
-
笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
-
倉田 英明
(株)日立製作所 中央研究所
-
有金 剛
(株)日立製作所中央研究所
-
小林 孝
(株)日立製作所中央研究所
-
久米 均
(株)日立製作所中央研究所
-
佐伯 俊一
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
-
奥山 裕
(株)日立製作所中央研究所
-
木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
-
久米 均
日立製作所中央研究所
-
後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
-
奥山 裕
日立製作所・中央研究所
-
倉田 英明
(株)日立製作所
-
有金 剛
日立 中研
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