2.5V電源フラッシュメモリにおける高精度基準電圧発生回路
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概要
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近年、フラッシュメモリは携帯機器用のファイルメモリとして多く採用されている。この用途には、低電圧化の要求が強い。低電圧動作のためには、書換え後のメモリセルのしきい値電圧を高精度に制御する必要がある。本報告では、これを実現するための回路技術として高精度で、かつ低消費電流動作が可能な基準電圧発生回路を設計したので、その評価結果について報告する。
- 1996-09-18
著者
-
宮本 直樹
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
佐伯 俊一
日立デバイスエンジニアリング(株)
-
木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
城野 雄介
(株)日立製作所半導体事業部
-
佐伯 俊一
日立バイスエンジニアリング(株)
-
宮本 直樹
日立バイスエンジニアリング(株)
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