積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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磁性体メモリの一つであるSPin-transf torque RAM(SPRAM)は,高速動作,低電力化が可能な不揮発メモリとして期待されている.SPRAMはメモリセルとして,MgO障壁層を備えたトンネル磁気抵抗(TMR)素子を用いる.このTMR素子は,自由層に用いる磁性体の熱安定性を大きくすることによって,読み出しの際の誤書き込み(ディスターブ)および書き込み電流のばらつきを低減することができる.熱安定性の大きいと期待される積層フェリ(SyF)自由層を用いた場合,他の構造と比べて読み出しディスターブと書き込み電流のばらつきがともに抑制されており,読み出しと書き込み動作が安定化することが明らかとなった.さらに,syF自由層の記録保持時間,読み出し電流,読み出し時間の関係を調査した結果,1.5ns以下の高速な読み出しが可能であることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-16
著者
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所中央研究所
-
竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
-
池田 正二
東北大学電気通信研究所
-
佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所
-
松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所
-
山ノ内 路彦
(株)日立製作所基礎研究所
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
-
池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
三浦 勝哉
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所
-
佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
-
三浦 勝哉
日立製作所基礎研究所
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部
-
早川 純
日立 中研
-
早川 純
日立 基礎研
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所 基礎研究所
-
大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
-
池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
早川 純
(株)日立製作所 基礎研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
-
高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
-
松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
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