0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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低電力・小面積DRAMアレイの実現に向け,電流制御スイッチ付きセンスアンプを開発した。本センスアンプは,低V_TNMOSアンプと高V_TPMOSアンプから構成される。本センスアンプにより,従来のCMOSプリアンプを用いたセンスアンプと比べて,センスアンプ面積を46%削減することができた。また,センスアンプをデータ線から分離することによりセンス時間を6nsに,オーバードライブ方式を用いることによりリストア時間を13.4nsにできた。さらに,電流制御スイッチに流れる電流量をPVTばらつきに応じて制御することにより,データ保持時のセンスアンプのリーク電流を2%に低減できた。
- 2011-08-18
著者
-
小田部 晃
(株)日立製作所 中央研究所
-
関口 知紀
(株)日立製作所システム開発研究所
-
伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
-
竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
関口 知紀
株式会社日立製作所中央研究所
-
柳川 善光
(株)日立製作所中央研究所
-
小田部 晃
(株)日立製作所中央研究所
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