4F[2] DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ (集積回路)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit3次元積層DRAMアーキテクチャ (集積回路)
-
スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit3次元積層DRAMアーキテクチャ (シリコン材料・デバイス)
-
多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
-
多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響
-
異種OS共存技術(DARMA)の適用によるシステム移行方式
-
大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)
-
ギガビットDRAM用高データレート回路技術
-
書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
-
0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
-
ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
-
不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術
-
MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
-
MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
-
高速・低電力強誘電体メモリを実現する新読み出し回路方式
-
階段波出力バッファを用いた低ノイズ・高速データ伝送
-
0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
-
ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
-
情報制御システム統合のための高信頼化技術
-
デモ18 ナノカーネル方式による異種OS共存技術「DARMA」の提案
-
3Z-2 ナノカーネル方式による異種OS共存技術「DARMA」の実装
-
3Z-1 ナノカーネル方式による異種OS共存技術「DARMA」の提案
-
0.5V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
-
スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(グリーン・コンピューティング,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
-
従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
-
多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
-
半導体メモリ
-
画像メモリ : (1)半導体メモリ
-
3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ (集積回路)
-
4F[2] DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ (集積回路)
-
4F[2] DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ (シリコン材料・デバイス)
-
0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (集積回路)
-
0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (シリコン材料・デバイス)
-
スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ
-
半導体メモリ
-
3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
-
4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
依頼講演 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計 (集積回路)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク