3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ (集積回路)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-04-18

著者

• 小埜 和夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 柳川 善光

  (株)日立製作所中央研究所

• 小田部 晃

  (株)日立製作所中央研究所

関連論文

• 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit3次元積層DRAMアーキテクチャ (集積回路)
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit3次元積層DRAMアーキテクチャ (シリコン材料・デバイス)
• 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響
• 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)
• 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
• 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 0.5V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(グリーン・コンピューティング,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ (集積回路)
• 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
• 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
• 4F[2] DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ (集積回路)
• 4F[2] DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ (シリコン材料・デバイス)
• 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (集積回路)
• 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ (シリコン材料・デバイス)
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ
• スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 依頼講演 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計 (集積回路)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク