双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• 1.8V動作, 32nsアクセス,セル書き込み時間40nsの32Mb SPRAMを試作した。本チップは, 150nm CMOSプロセスとサイズが100×200nm^2のトンネル時期抵抗素子(TMR)を用いている。大容量SPRAM向けの搭載した回路技術として,(1)小面積で大書き込み電流を実現する2トランジスタ1抵抗(2T1R)型メモリセルレイアウト,(2)書き込み時の配線抵抗の影響を低減する双方向ローカルライトドライバ,(3)TMRを用いた'1'/'0'平均化リファレンス方式を開発した。本技術により,32nsのアクセス時間を実現した。

• 2010-04-15

著者

• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所中央研究所

• 竹村 理一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 三浦 勝哉

  (株)日立製作所基礎研究所

• 早川 純

  (株)日立製作所基礎研究所

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所

• 松岡 秀行

  (株)日立製作所基礎研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所

• 山ノ内 路彦

  (株)日立製作所基礎研究所

• 松崎 望

  (株)日立製作所中央研究所

• 早川 純

  (株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 山本 浩之

  (株)日立製作所基礎研究所

• 長谷川 晴弘

  (株)日立製作所基礎研究所

• 小埜 和夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所基礎研究所

• 長谷川 晴弘

  日立製作所基礎研究所

• 山本 浩之

  (株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所基礎研究所

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 三浦 勝哉

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部

• 山本 浩之

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 長谷川 晴弘

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 早川 純

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 松崎 望

  (株)日立製作所 中央研究所

• 小埜 和夫

  (株)日立製作所 中央研究所

• 三浦 勝哉

  (株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 松岡 秀行

  (株)日立製作所中央研究所

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