低電力SRAMの技術動向(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SRAMにとって今後重要課題である低電圧,低スタンバイ,高信頼化技術について,これまで開発してきた技術を紹介する.低電圧動作を実現する方式として,横長SRAMセル方式,アレイブースト方式について述べ,低スタンバイ化方式として,ゲートリーク電流の低減が可能な電界緩和方式について述べる.また,中性子によるソフトエラーの解析を行い,ソフトエラー率を低減する回路方式について提案する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-15
著者
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
山岡 正直
株式会社日立製作所中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所
関連論文
- 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
- 新メモリとSOC、今何をすべきか? : 混載メモリの課題と展望(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- 招待講演 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM) (シリコン材料・デバイス)
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))