低電力SRAMの技術動向(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
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概要
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SRAMにとって今後重要課題である低電圧,低スタンバイ,高信頼化技術について,これまで開発してきた技術を紹介する.低電圧動作を実現する方式として,横長SRAMセル方式,アレイブースト方式について述べ,低スタンバイ化方式として,ゲートリーク電流の低減が可能な電界緩和方式について述べる.また,中性子によるソフトエラーの解析を行い,ソフトエラー率を低減する回路方式について提案する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-15
著者
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
山岡 正直
株式会社日立製作所中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所
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