C-12-24 低電力 SRAM への階層型 ECC 回路導入に関する検討
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
SRAMの宇宙線中性子によるマルチエラー解析及びマルチエラー低減技術
-
書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
-
酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
-
1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
-
1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
-
電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
-
SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
-
SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題
-
D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
-
低電力RISCプロセッサ向け2-portキャッシュメモリ
-
ビット線分離型メモリ階層方式とドミノ型タグ比較器を用いた1V 100MHz 10mWオンチップキャッシュ
-
SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
-
SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
-
誘導結合を用いたプロセッサと複数メモリの三次元集積技術(システム設計と最適化II,システム設計及び一般)
-
直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
-
携帯電話向けアプリケーションプロセッサに最適なスタンバイ電流性能25μA/MbitのオンチップSRAM(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
-
誘導結合通信を用いた低消費電力・高性能三次元プロセッサの開発 : 90nm CMOSマルチコアプロセッサと65nm CMOS SRAMの三次元システム集積(若手研究会)
-
従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
-
従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
-
低電力SRAMの技術動向(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
-
低電力SRAMへのECC回路導入に関する検討
-
C-12-24 低電力 SRAM への階層型 ECC 回路導入に関する検討
-
SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析
-
SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析
-
0.65-2V動作のシステムLSI用キャッシュメモリ (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
-
16.7fA/cell Tunnel-Leakage-Suppressed 16Mb SRAM for Handling Cosmic-Ray-Induced Multi-Errors(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
-
高対称型メモリセルおよびアレイ微昇圧方式を用いた0.4V動作SRAM
-
高対称型メモリセルおよびアレイ微昇圧方式を用いた0.4V動作SRAM
-
0.65〜2.0V動作のシステムLSI用キャッシュメモリの開発 (特集1 低消費電力化進む半導体デバイス)
-
誘導結合を用いたプロセッサと複数メモリの三次元集積技術
-
ホモジニアス・タイル構造3次元FPGAの性能評価(3D-I,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
-
3次元システムLSI開発のためのチップレベルTSVプロセス(次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)
-
[招待講演]DCDCコンバータのデジタルヒステリシス予測制御方式
-
[招待講演]DCDCコンバータのデジタルヒステリシス予測制御方式
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク