携帯電話向けアプリケーションプロセッサに最適なスタンバイ電流性能25μA/MbitのオンチップSRAM(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
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概要
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携帯電話向けアプリケーションプロセッサに混載する低電力1MbitSRAMを開発した。本SRAMは、高速動作モード・低リーク動作モード・スタンバイモードの3つの動作モードを搭載し、電源分割制御方式を用いることで、実動作条件での低電力化が可能になった。低リーク動作モードおよびスタンバイモードでのリーク電流はそれぞれ50μA、25μAである。また本SRAMでは自己電圧制御書き込み方式を用いることでプロセスばらつきによる動作最低電圧の悪化を改善した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-15
著者
-
島崎 靖久
(株)ルネサステクノロジ
-
山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
-
柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
-
山岡 雅直
株式会社日立製作所中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
-
前田 徳章
株式会社ルネサステクノロジ
-
篠崎 義弘
株式会社日立超LSIシステムズ
-
島田 茂
株式会社ルネサステクノロジ
-
柳沢 一正
株式会社ルネサステクノロジ
-
加藤 圭
Renesas Technology Corp.
-
前田 徳章
スーパーエイチジャパン株式会社
-
島崎 靖久
スーパーエイチジャパン株式会社
-
加藤 圭
株式会社ルネサステクノロジ
-
山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所
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