16.7fA/cell Tunnel-Leakage-Suppressed 16Mb SRAM for Handling Cosmic-Ray-Induced Multi-Errors(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
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概要
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プロセスの微細化に伴いトンネルリーク電流がMOSトランジスタのリーク電流の主成分の1つとなっている.このトンネルリーク電流を低減するために電解緩和方式を提案した.また,宇宙線中性子によるマルチエラーが地上でも問題となっており,このマルチエラーを訂正することが可能な交互エラー訂正方式を提案した.この技術を使って16MビットSRAMを0.13μmCMOSプロセスにより試作し,セル電流16.7fA@25℃,101.7fA@90℃を実現した.またソフトエラー率(SER)を99.5%低減することに成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-21
著者
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
斉藤 良和
(株)ルネサステクノロジ
-
長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
斉藤 良和
株式会社日立製作所半導体事業部
-
石橋 孝一郎
株式会社日立製作所中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所
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