PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
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概要
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SOCにおいてPTI-ABC SOI構造を用いることでレイアウト面積や寄生容量の増加なく選択的にボディバイアスのコントロールが行える低電圧動作回路システムを開発した。フォワードバイアスの印加によりCore Logicは遅延時間を28-48%小さくでき、さらにばらつきは26-32%減少させることができる。また低電力回路システムに必要なレベルシフタ、パワースイッチ/データ保持FFなどの要素回路もトランジスタに適切なボディバイアスを印加する事により低電圧でも動作が可能となった。そのため90nm LSTPテクノロジで処理速度を維持しつつ標準電源電圧を1.2→1.0Vに下げることが出来る。その結果、SOCの動作電力を40%、スタンバイ電力については98%削減可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-07
著者
-
一法師 隆志
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
-
一法師 隆志
ルネサステクノロジ
-
福岡 一樹
ルネサステクノロジ
-
五十嵐 康人
ルネサステクノロジ
-
小澤 治
ルネサステクノロジ
-
倉石 孝
ルネサステクノロジ
-
安 義彦
ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
ルネサステクノロジ
-
牧 幸生
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
-
落合 俊彦
ルネサステクノロジ プラットフォームPJセンター
-
白畑 正芳
ルネサステクノロジ プラットフォームPJセンター
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
-
牧 幸生
ルネサステクノロジ
-
牧 幸生
ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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