A 9μW 50MHz 32b Adder Using a Self-Adjusted Forward Body Bias in SoCs(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
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概要
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MOSトランジスタのドレイン、ソースのダイオードに流れる電流を一定に保つことにより、順方向基板バイアスを自動的に限界まで上げられる自動調整順方向基板バイアス技術を開発した。この技術を用いて、0.13ミクロンルールのCMOS技術による32ビットの加算回路を試作し50MHz動作時の消費電力9μW、動作エネルギーは従来技術の約1/30を達成した。また、LSIの中で実際に動作している回路ブロックのみに順方向基板バイアス電圧をかけて高速化し、休止中の回路ブロックには基板バイアスをかけずにリーク電流を低減するゲーティドボディ方式を提案した。この方式を用いて、MPEG2 CODEC LSIの電力を1/5にできることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-22
著者
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
峯松 勲
(株)半導体理工学研究センター:(現)シャープ株式会社
-
石橋 孝一郎
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室
-
藤本 徹哉
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部
-
山下 高廣
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部
-
有馬 幸生
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部
-
山下 高廣
(株)半導体理工学研究センター
-
有馬 幸生
(株)半導体理工学研究センター(starc)設計技術開発部低電力技術開発室
-
藤本 徹哉
(株)半導体理工学研究センター
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