山下 高廣 | (株)半導体理工学研究センター

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関連著者

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 山下 高廣

  (株)半導体理工学研究センター

• 石橋 孝一郎

  (株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室

• 藤本 徹哉

  (株)半導体理工学研究センター

• 藤本 徹哉

  (株)半導体理工学研究センター設計技術開発部

• 山下 高廣

  (株)半導体理工学研究センター設計技術開発部

• 有馬 幸生

  (株)半導体理工学研究センター(starc)設計技術開発部低電力技術開発室

• 岡田 博之

  (株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室

• 峯松 勲

  (株)半導体理工学研究センター:(現)シャープ株式会社

• 山下 高廣

  株式会社半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室

• 藤本 徹哉

  株式会社半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室

• 石橋 孝一郎

  株式会社半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室

• 石橋 孝一郎

  ルネサスエレクトロニクス

• 小松 義英

  パナソニック(株)戦略半導体開発センター

• 小松 義英

  (株)半導体理工学研究センター(STARC) 設計技術開発部 低電力技術開発室

• 萩原 正人

  (株)半導体理工学研究センター

• 有馬 幸生

  (株)半導体理工学研究センター設計技術開発部

• 萩原 正人

  (株)半導体理工学研究センター:(現)ルネサステクノロジ

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著作論文

• [特別招待論文]低電力SoCを目指すSTARCの低電力技術開発(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• [特別招待論文]低電力SoCを目指すSTARCの低電力技術開発(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• マルチCPUアーキテクチャにおける動作温度を考慮したパワーマネージメント技術
• A 9μW 50MHz 32b Adder Using a Self-Adjusted Forward Body Bias in SoCs(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
• リーク電流と動作電力を低減できる電源スイッチ回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• リーク電流と動作電力を低減できる電源スイッチ回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 90nm以後のプロセスに適応可能な宇宙線への耐性を備えたラッチ回路(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
• V-driverによるオンチップバスの低電力化(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
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