石橋 孝一郎 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室
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大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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山下 高廣
(株)半導体理工学研究センター
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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石橋 孝一郎
ルネサステクノロジ
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今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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藤本 徹哉
(株)半導体理工学研究センター
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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福岡 一樹
ルネサステクノロジ
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五十嵐 康人
ルネサステクノロジ
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小澤 治
ルネサステクノロジ
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倉石 孝
ルネサステクノロジ
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安 義彦
ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部
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塚田 敏郎
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室
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小松 義英
(株)半導体理工学研究センター(STARC) 設計技術開発部 低電力技術開発室
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塚田 敏郎
(株)半導体理工学研究センター(starc)設計技術開発部低電力技術開発室
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山本 雅晴
(株)半導体理工学研究センター
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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竹内 雅彦
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 和宏
株式会社ルネサステクノロジ
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永田 真
神戸大学:株式会社a-r-tec
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藤本 徹哉
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部
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山下 高廣
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部
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島崎 健二
神戸大学 工学部 情報知能工学科
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島崎 健二
神戸大学工学部情報知能工学科
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島崎 健二
松下電器産業(株)
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深澤 光弥
株式会社ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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山本 雅晴
(株)半導体理工学研究センター(starc)設計技術開発部低電力技術開発室
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有馬 幸生
(株)半導体理工学研究センター(starc)設計技術開発部低電力技術開発室
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小松 義英
(株)半導体理工学研究センター(starc)設計技術開発部低電力技術開発室
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長田 健一
株式会社日立製作所
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浅田 邦博
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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池田 誠
東京大学 大学院 工学系研究科
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浅田 邦博
東京大学 大学院 工学系研究科
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永田 真
神戸大学工学部情報知能工学科
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名倉 徹
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター(VDEC)
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岡田 博之
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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一法師 隆志
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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一法師 隆志
ルネサステクノロジ
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塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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石橋 孝一郎
STARC
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浅田 邦博
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター(vdec):東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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牧 幸生
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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落合 俊彦
ルネサステクノロジ プラットフォームPJセンター
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白畑 正芳
ルネサステクノロジ プラットフォームPJセンター
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今岡 進
ルネサスデザイン
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増田 康浩
ルネサスデザイン
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薮内 誠
ルネサステクノロジ
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塚本 康正
ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
ルネサステクノロジ
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五十嵐 元繁
ルネサステクノロジ
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冨田 和朗
ルネサステクノロジ
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坪井 信生
ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
ルネサステクノロジ
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池田 誠
(株)東芝電力・産業システム技術開発センター
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深澤 光弥
神戸大学工学部情報知能工学科
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金 鎮明
東京大学大学院工学系研究科
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高田 英裕
三菱電機
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高田 英裕
ルネサスエレクトロニクス株式会社技術開発本部
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浅田 邦博
東京大学大学院工学系研究科
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池田 誠
東京大学大学院工学系研究科
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池田 誠
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
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野村 昌弘
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
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前川 繁登
ルネサステクノロジ
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前川 繁登
ルネサス
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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池田 修二
日立製作所半導体事業部
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池田 修二
(株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
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伊藤 寧夫
Starc(半導体理工学研究センター):東芝マイクロエレクトロニクス
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入江 直彦
日立製作所中央研究所
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浅田 邦博
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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森 涼
ルネサステクノロジ
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佐々木 敏夫
ルネサステクノロジ
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長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
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濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社
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永久 克己
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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宮崎 裕行
(株)日立製作所 中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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峯松 勲
(株)半導体理工学研究センター:(現)シャープ株式会社
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入江 直彦
(株)日立製作所中央研究所
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長田 健一
日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
日立製作所中央研究所
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森 涼
(株)ルネサステクノロジ
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大塚 文雄
SELETE
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濱田 基嗣
東芝 Soc研究開発セ
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濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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野村 昌弘
Nec
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市橋 基
STARC(半導体理工学研究センター)
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戸田 春希
STARC(半導体理工学研究センター)
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山岡 雅直
株式会社 日立製作所 中央研究所
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長田 健一
株式会社 日立製作所 中央研究所
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石橋 孝一郎
株式会社 日立製作所 中央研究所
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高柳 万里子
東芝
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入江 直彦
日立製作所 中央研究所
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戸田 春希
Starc(半導体理工学研究センター):東芝セミコンダクター社
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市橋 基
Starc(半導体理工学研究センター):ルネサステクノロジ
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山下 高廣
株式会社半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室
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藤本 徹哉
株式会社半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室
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石橋 孝一郎
株式会社半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室
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石田 浩
セイコーエプソン株式会社ビジネスシステム事業部
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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牧 幸生
三菱電機(株) メモリ事業統括部
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平木 充
株式会社ルネサステクノロジ設計基盤開発部
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水野 弘之
株式会社日立製作所中央研究所
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杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
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中瀬 泰伸
三菱電機システムLSI開発研究所
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川嶋 将一郎
富士通研究所
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黒田 謙一
日立製作所半導体事業部
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新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
薮内 誠
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
篠原 尋史
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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久礼 得男
日立製作所中央研究所
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川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部
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平木 充
日立
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石井 智之
日立
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宮野 信治
東芝
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石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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石田 浩
日立超lsiエンジニアリング株式会社
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今岡 進
(株)ルネサスデザイン
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小田 祐士
(株)シキノハイテック
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河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
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斉藤 良和
(株)ルネサステクノロジ
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松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
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庄司 健一
日立製作所 中央研究所
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安 義彦
(株)ルネサステクノロジ
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平木 充
日立中央研究所
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宮野 信治
半導体理工学研究センター
-
杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
杉林 直彦
Nec
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石橋 孝一郎
ルネサス テクノロジ
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水野 弘之
日立製作所中央研究所
-
松崎 望
日立製作所中央研究所
-
新保 利信
日立超LSIエンジニアリング
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大木 長斗司
日立超LSIエンジニアリング
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小野内 雅文
日立製作所中央研究所
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中瀬 泰伸
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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永田 真
神戸大学 大学院自然科学研究科,工学部情報知能工学科
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菅野 雄介
日立製作所中央研究所
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佐圓 真
日立製作所中央研究所
-
小松 成亘
日立製作所中央研究所
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安 義彦
ルネサスエレクトロニクス
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小松 義英
パナソニック(株)戦略半導体開発センター
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橋本 安行
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室
-
坂田 浩司
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室
-
深澤 光弥
神戸大学 工学部 情報知能工学科
-
宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
-
山岡 正直
株式会社日立製作所中央研究所
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中瀬 泰伸
ルネサスエレクトロニクス
-
中瀬 泰伸
(株)ルネサステクノロジ
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石井 智之
日立製作所中央研究所ulsi研究部
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中瀬 泰伸
三菱電機LSI研究所
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萩原 正人
(株)半導体理工学研究センター
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有馬 幸生
(株)半導体理工学研究センター設計技術開発部
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石井 智之
日立製作所中央研究所
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石井 智之
神奈川工科大学情報学部
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菅野 雄介
(株)日立製作所中央研究所
-
庄司 健一
日立製作所半導体事業部
-
大木 長斗司
日立超lsiエンジニアリング株式会社
-
斉藤 良和
株式会社日立製作所半導体事業部
-
石橋 孝一郎
株式会社日立製作所中央研究所
-
小野内 雅文
(株)日立製作所中央研究所
-
菅野 雄介
日立製作所 中央研究所
-
松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
-
水野 弘之
日立製作所 中央研究所
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萩原 正人
(株)半導体理工学研究センター:(現)ルネサステクノロジ
著作論文
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- ビット線分離型メモリ階層方式とドミノ型タグ比較器を用いた1V 100MHz 10mWオンチップキャッシュ
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 複数IPコア回路におけるスリーププブロックの寄生容量を用いたチップ内電源共振雑音低減手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 複数IPコア回路におけるスリープブロックの寄生容量を用いたチップ内電源共振雑音低減手法(要素回路技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
- 微細CMOS・ミクストシグナル・システムオンチップにおける基板クロストークを低減するノイズデカップリング回路(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- [特別招待論文]低電力SoCを目指すSTARCの低電力技術開発(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- [特別招待論文]低電力SoCを目指すSTARCの低電力技術開発(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 遅延予測技術を用いたDVFS制御向け広周波数・電源電圧レンジクロック同期回路(回路最適化技術,システム設計及び一般)
- 電流基板制御方式による基板ノイズ低減及びランダムばらつき抑制効果(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- 電流基板制御方式による基板ノイズ低減及びランダムばらつき抑制効果(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- 電流基板制御方式による基板ノイズ低減及びランダムばらつき抑制効果(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- 電流基板制御方式による基板ノイズ低減及びランダムばらつき抑制効果(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- 低電力SRAMの技術動向(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
- マルチCPUアーキテクチャにおける動作温度を考慮したパワーマネージメント技術
- A 9μW 50MHz 32b Adder Using a Self-Adjusted Forward Body Bias in SoCs(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 90nm GenericロジックCMOSプロセスを用いたメモリアレイ0.5V動作Asymmetric Three-Tr. Cell(ATC) DRAMの提案(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 90nm GenericロジックCMOSプロセスを用いたメモリアレイ0.5V動作Asymmetric Three-Tr. Cell(ATC) DRAMの提案(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 0.65-2V動作のシステムLSI用キャッシュメモリ (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- 16.7fA/cell Tunnel-Leakage-Suppressed 16Mb SRAM for Handling Cosmic-Ray-Induced Multi-Errors(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 高対称型メモリセルおよびアレイ微昇圧方式を用いた0.4V動作SRAM
- 高対称型メモリセルおよびアレイ微昇圧方式を用いた0.4V動作SRAM
- 0.65〜2.0V動作のシステムLSI用キャッシュメモリの開発 (特集1 低消費電力化進む半導体デバイス)
- リーク電流と動作電力を低減できる電源スイッチ回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- リーク電流と動作電力を低減できる電源スイッチ回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 90nm以後のプロセスに適応可能な宇宙線への耐性を備えたラッチ回路(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- [招待論文]DAC2003報告 : 低電力技術(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- [招待論文]DAC2003報告 : 低電力技術(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- V-driverによるオンチップバスの低電力化(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- V-driverによるオンチップバスの低電力化(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- アクティブディキャップを用いた電源共振雑音低減手法(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- スケーリング則から見た低電力技術とその方向(集積回路とアーキテクチャの協創〜ノーマリオフコンピューティングによる低消費電力化への挑戦〜)