今岡 進 | 株式会社ルネサスデザイン
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概要
関連著者
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
-
塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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牧野 博之
ルネサステクノロジ
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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山上 由展
松下電器産業
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
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吉澤 知晃
ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
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山上 由展
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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今岡 進
ルネサスデザイン
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塚本 康正
ルネサステクノロジ
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鈴木 利一
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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柴山 晃徳
松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター
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鈴木 利一
松下電器産業
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柴山 晃徳
松下電器産業株式会社
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新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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今岡 進
(株)ルネサスデザイン
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
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竹内 雅彦
株式会社ルネサステクノロジ
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牧野 博之
株式会社ルネサステクノロジ
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塚本 和宏
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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石橋 孝一郎
ルネサステクノロジ
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増田 康浩
ルネサスデザイン
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薮内 誠
ルネサステクノロジ
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大林 茂樹
ルネサステクノロジ
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五十嵐 元繁
ルネサステクノロジ
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冨田 和朗
ルネサステクノロジ
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坪井 信生
ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
ルネサステクノロジ
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吉澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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石倉 聡
松下電器産業
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寺野 登志夫
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部
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岩出 秀平
大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科
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岩出 秀平
大阪工業大学
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赤松 寛範
松下電器産業(株)半導体先行開発センター
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赤松 寛範
松下電器産業
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里見 勝治
松下電器産業
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寺野 登志夫
松下電器産業
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寺野登 志夫
松下電器産業
-
里見 勝治
松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部
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薮内 誠
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
篠原 尋史
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
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小田 祐士
(株)シキノハイテック
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部
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古澤 知晃
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
著作論文
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
- タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))