高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
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概要
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90nmテクノロジを用いた高密度デュアルポートSRAMを開発した。メモリセルサイズは2.04um^2で、既発表の中では世界最小サイズを実現した。また、メモリセルアレイのGND線電位を列方向に動的に制御する方式を提案し、待機時電流を約1/10と1桁低減した。さらに、単位周波数あたりの動作電力も約1/3に低減できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-13
著者
-
新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
-
塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
-
今岡 進
ルネサスデザイン
-
塚本 康正
ルネサステクノロジ
-
牧野 博之
ルネサステクノロジ
-
吉澤 知晃
ルネサステクノロジ
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
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