カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM(メモリ技術)
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概要
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本論文では,低電圧動作,小面積10T SRAMセルを提案する.提案10Tセルは,従来10Tセルと比較して回路構成を単純化でき,セル面積を25%低減させることができる.また,放電パスを追加したことによりセル電流が21%増大し,ビット線遅延を34%短縮させることが可能となる.トランジスタを追加した事による書込みマージンの悪化を改善するためにカラム線(CL)制御回路を追加し,書込みを補助している.45nmプロセスを用いて試作,実測した結果,提案SRAMが0.56Vで動作可能であることを確認した
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-04-06
著者
-
川口 博
神戸大学大学院工学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学
-
藤原 英弘
神戸大学大学院自然科学研究科
-
野口 紘希
神戸大学大学院自然科学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院自然科学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学大学院工学研究科
-
吉本 秀輔
神戸大学工学部
-
井口 友輔
神戸大学大学院工学研究科
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
野口 紘希
神戸大学大学院工学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学システム情報学研究科
-
吉本 秀輔
神戸大学システム情報学研究科
-
藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
-
川口 博子
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
野口 紘希
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
川口 博
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
川口 博
神戸大学大学院
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院
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