しきい値ばらつき耐性を有する0.45V動作9T/18TデュアルポートSRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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本稿では9T/18Tセル構造を有するデュアルポートSRAMを提案する.提案SRAMは1ビットのデータを9Tセルまたは18Tセルで記憶するというニつの動作モードを有する.9Tセルは読出し専用のポートとビット線が付加されており,読出しマージンを考慮する必要がない.また, 8Tセルは9Tセルに付加された2つの読出し専用ポートを用いた差動読出しが可能となる.モードを切り替えることにより速度と動作電圧,消費電力の動的な改善を可能とし,65nmプ口セスの実測において最低動作電圧を従来14Tの0.54Vと比較し90mV改善し,0.45Vでの動作を確認した.
- 2011-04-11
著者
-
吉本 雅彦
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
-
川口 博
神戸大学大学院工学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学
-
奥村 俊介
神戸大学大学院工学研究科
-
川口 博
神戸大学システム情報学研究科
-
高木 智也
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
久賀田 耕史
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
野口 紘希
神戸大学大学院工学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学システム情報学研究科
-
川口 博子
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
野口 紘希
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
吉本 雅彦
金沢大学工学部
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
柳田 晃司
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
川口 博
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
川口 博
神戸大学大学院
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院
-
久賀田 耕史
神戸大学
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