チップ間ばらつき補正機能を有する基板バイアス制御を用いた0.42V動作486-kb FD-SOI SRAM(学生・若手研究会)
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概要
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本発表では,FD-SOIのチップ間ばらつきを補正できる基板バイアス制御回路を搭載したSRAMの提案を行う.提案する基板バイアス制御回路は自動的にチップ間のしきい値ばらつきを検知し,補正することにより,メモリセルの動作マージンを改善することができる.0.15um FD-SOIデバイスを用いて486kb SRAMを試作し実測した結果,動作下限電圧を0.14V改善し,0.42Vでの動作を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-12-04
著者
-
川口 博
神戸大学大学院工学研究科
-
藤原 英弘
神戸大学大学院自然科学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院自然科学研究科
-
竹内 隆
神戸大学大学院工学研究科
-
山口 幸介
神戸大学工学部
-
大竹 優
神戸大学大学院工学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
山口 幸介
神戸大学システム情報学研究科
-
藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
-
川口 博子
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
川口 博
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
川口 博
神戸大学大学院
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院
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