DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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45-nm世代以降のLSI製造プロセスノードにおいて,8トランジスタ構成のSRAMセル(8Tセル)が従来の6Tセルよりも小面積を実現できることを提言する.本状況下で,8Tセルで構成されたSRAM(8T SRAM)に対して,動的電圧制御(DVS)環境下で最小動作電圧を低減するための電圧制御手法,及びハーフセレクト列に対するセル不安定性を回避するためのライトバック手法を実装し,90-nmプロセスでの64-Mb SRAMの最低動作電圧を0.42Vまで低減できることを実証した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-16
著者
-
森田 泰弘
神戸大学
-
川口 博
神戸大学大学院工学研究科
-
藤原 英弘
神戸大学
-
井口 友輔
神戸大学
-
野口 紘希
神戸大学
-
吉本 雅彦
神戸大学
-
新居 浩二
神戸大学
-
川口 博
神戸大学 工学部 情報知能工学科
-
井口 友輔
神戸大学大学院工学研究科
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
森田 泰弘
宇宙科学研
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
野口 紘希
神戸大学大学院工学研究科
-
藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
-
新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
森田 泰弘
東京都立多摩総合医療センター外科
-
森田 泰弘
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所宇宙航行システム研究系
-
川口 博
神戸大学
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