高信頼性モードと高速アクセスモードを有するディペンダブルSRAM(システム設計及び一般)
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概要
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信頼性を動的に変化させることが可能なディペンダブルSRAMを提案する.提案するSRAMは7トランジスタ(7T)構成であり,2つの従来6Tメモリセルを1組として,双方の内部ノードを追加トランジスタで接続する.提案SRAMは通常モード,高速アクセスモード,そして高信頼性モードの3種類のモードを有する.提案SRAMの高速アクセスモードでは,従来の6T SRAMと比較して読出しセル電流が142%増加し,その結果読出し時のビット線放電時間は66.3%短縮される.また,高信頼性モードにおいては,Bit error rate (BER) が2.5×10^<-2>改善された.面積オーバーヘッドは追加トランジスタにPMOSを用いた場合は12%である.
- 社団法人情報処理学会の論文
- 2008-05-01
著者
-
森田 泰弘
神戸大学
-
川口 博
神戸大学大学院工学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学
-
藤原 英弘
神戸大学
-
井口 友輔
神戸大学
-
野口 紘希
神戸大学
-
吉本 雅彦
神戸大学
-
川口 博
神戸大学 工学部 情報知能工学科
-
奥村 俊介
神戸大学大学院工学研究科
-
井口 友輔
神戸大学大学院工学研究科
-
森田 泰弘
宇宙科学研
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
野口 紘希
神戸大学大学院工学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学システム情報学研究科
-
藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
森田 泰弘
東京都立多摩総合医療センター外科
-
森田 泰弘
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所宇宙航行システム研究系
-
川口 博
神戸大学
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